[发明专利]一种肖特基沟槽MOS半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种肖特基沟槽MOS半导体装置，其特征在于：包括：

衬底层，为半导体材料；

漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；

沟槽，位于漂移层中和半导体装置表面，沟槽内壁有绝缘层，同时，沟槽内填充有多晶半导体材料；

体区，为第二传导类型的半导体材料，临靠沟槽和半导体装置表面，体区之间为第一传导类型的半导体材料，与漂移层相连；

肖特基势垒结，位于体区之间的第一传导类型的半导体材料表面；

源区，为第一传导类型的半导体材料，临靠沟槽和半导体装置表面，同时，源区底部和侧壁被体区包裹。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽内填充的多晶半导体材料，可以为第一传导类型的半导体材料，并且为高浓度杂质掺杂

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的体区表面可以为欧姆接触。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的体区表面可以为肖特基基势垒结。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽内填充的第一传导类型的半导体材料作为器件的栅电极。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的与源区侧壁相连的体区可以为高浓度掺杂区。

7.一种肖特基沟槽MOS半导体装置的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)在衬底层上通过外延生产形成第一传导类型的半导体材料漂移层；

2)在表面形成钝化层，在待形成沟槽区域表面去除钝化层；

3)进行刻蚀半导体材料，形成沟槽；

4)通过倾斜注入退火工艺，进行第二传导类型杂质扩散，然后通过倾斜注入退火工艺再次进行第二传导类型杂质扩散，然后通过倾斜注入退火工艺进行第一传导类型杂质扩散；

5)在沟槽内壁形成绝缘层，在沟槽内填充多晶半导体材料；

6)在器件表面形成钝化层，然后去除器件表面部分钝化层；

7)在器件表面淀积金属，进行烧结形成肖特基势垒结。