[发明专利]基于倾斜波导光栅结构的高偏振消光比的光波导谐振腔有效
申请号: | 201210104133.4 | 申请日: | 2012-04-10 |
公开(公告)号: | CN102645708A | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 马慧莲;陈振;金仲和 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | G02B6/34 | 分类号: | G02B6/34 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 张法高 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: |
本发明公开了一种基于倾斜波导光栅结构的高偏振消光比光波导谐振腔。在光波导芯片本体上设有输入/输出光通路与谐振环;输入/输出光通路的两端位于光波导芯片的边缘;谐振环与输入/输出光通路通过输入/输出耦合器相连,构成光波导谐振腔;谐振环上刻蚀有倾斜波导光栅;倾斜波导光栅的反射界面与光线传输方向的夹角 |
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搜索关键词: | 基于 倾斜 波导 光栅 结构 偏振 谐振腔 | ||
【主权项】:
1.一种基于倾斜波导光栅结构的高偏振消光比光波导谐振腔,其特征在于在光波导芯片(1)本体上设有输入/输出光通路(2)与谐振环(3);输入/输出光通路(2)的两端位于光波导芯片(1)的边缘;谐振环(3)与输入/输出光通路(2)通过输入/输出耦合器(5)相连,构成反射式光波导谐振腔;谐振环(3)上刻蚀有倾斜波导光栅(4);倾斜波导光栅(4)的反射界面与光线传输方向的夹角
,其中n1为光波导芯片(1)包层部分的折射率,n2为光波导芯片(1)芯层部分的折射率;倾斜波导光栅(4)的刻蚀深度大于零且小于光波导芯片(1)芯层厚度。
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