[发明专利]一种硅片吸附装置及其吸附方法有效
申请号: | 201210103995.5 | 申请日: | 2012-04-11 |
公开(公告)号: | CN103367217A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 段立峰;马明英;蔡良斌;李术新;王献英 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人: | 王光辉 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种硅片曝光装置及其曝光方法,该装置包括吸盘,固定于工件台上,所述吸盘上分布有多个吸孔;多个分管道,与所述吸孔分别对应且连接;总管道,与所述多个分管道连通,将所述分管道和吸孔的气体抽出,使硅片和所述吸盘之间形成真空并相互紧贴;与所述多个分管道分别对应的多个控制器,控制各个分管道对吸孔抽取真空的时刻和真空度。该方法包括根据硅片的翘曲程度规划各个所述吸孔抽取真空的时刻;根据硅片的翘曲大小规划各个所述吸孔抽取真空的真空度;根据规划的时刻和真空度,由所述控制器控制所述分管道对所述吸孔抽取真空。本装置及方法通过分时控制吸孔的真空度,保证硅片安全固定,降低拒片情况,保证硅片曝光质量,提高硅片的良率和产率。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅片 吸附 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种硅片吸附装置,包括:吸盘,固定于工件台上,所述吸盘上分布有多个吸孔;多个分管道,与所述吸孔分别对应且连接;总管道,与所述多个分管道连通,将所述分管道和吸孔的气体抽出,使硅片和所述吸盘之间形成真空并相互紧贴;其特征在于,还包括,与所述多个分管道分别对应的多个控制器,控制各个分管道对吸孔抽取真空的时刻和真空度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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