[发明专利]一种硅片吸附装置及其吸附方法有效
| 申请号： | 201210103995.5 | 申请日： | 2012-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN103367217A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 段立峰;马明英;蔡良斌;李术新;王献英 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 王光辉 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 吸附 装置 及其 方法 | ||
1.一种硅片吸附装置，包括：
吸盘，固定于工件台上，所述吸盘上分布有多个吸孔；
多个分管道，与所述吸孔分别对应且连接；
总管道，与所述多个分管道连通，将所述分管道和吸孔的气体抽出，使硅片和所述吸盘之间形成真空并相互紧贴；
其特征在于，还包括，与所述多个分管道分别对应的多个控制器，控制各个分管道对吸孔抽取真空的时刻和真空度。
2.根据权利要求1所述的硅片吸附装置，其特征在于，还包括多个密封圈，所述密封圈位于吸盘上且不覆盖吸孔。
3.根据权利要求2所述的硅片吸附装置，其特征在于，所述密封圈均匀分布在以吸盘中心为圆心的多个同心圆上。
4.根据权利要求1所述的硅片吸附装置，其特征在于，所述吸孔分布在以吸盘中心为圆心的多个同心圆上。
5.根据权利要求4所述的硅片吸附装置，其特征在于，所述吸孔均匀分布。
6.一种采用如权利要求1或2所述装置的硅片吸附方法，其特征在于，包括：
根据硅片的翘曲方向规划各个所述吸孔抽取真空的时刻；
根据硅片的翘曲程度规划各个所述吸孔抽取真空的真空度；
根据规划的各个所述吸孔抽取真空的时刻和真空度，由所述控制器控制所述分管道对所述吸孔抽取真空。
7.根据权利要求6所述的硅片吸附方法，其特征在于，所述吸孔均匀分布在以吸盘中心为圆心的多个同心圆上。
8.根据权利要求6所述的硅片吸附方法，其特征在于，如果硅片的翘曲为从中心到边缘，所述吸孔抽取真空的时刻顺序为从吸盘中心吸孔至吸盘边缘吸孔，使硅片从中心至边缘依次被吸附；如果硅片的翘曲为从边缘到中心，所述吸孔抽取真空的时刻顺序为从吸盘边缘吸孔至吸盘中心吸孔，使硅片从边缘至中心依次被吸附。
9.根据权利要求6所述的硅片吸附方法，其特征在于，如果硅片的翘曲为从中心到边缘，所述吸孔抽取真空的真空度为从吸盘中心吸孔至吸盘边缘吸孔依次增强；如果硅片的翘曲为从边缘到中心，所述吸孔抽取真空的真空度为从吸盘吸孔边缘至吸盘中心吸孔依次增强。
10.根据权利要求6所述的硅片吸附方法，其特征在于，距离吸盘中心相同半径的吸孔抽取真空的时刻相同。
11.根据权利要求6所述的硅片吸附方法，其特征在于，距离吸盘中心相同半径的吸孔抽取真空的真空度相同。
12.根据权利要求6所述的硅片吸附方法，其特征在于，吸盘上还包括多个不覆盖吸孔的密封圈。
13.根据权利要求12所述的硅片吸附方法，其特征在于，所述密封圈均匀分布在以吸盘中心为圆心的多个同心圆上。
14.根据权利要求12所述的硅片吸附方法，其特征在于还包括以下步骤：在所述分管道对所述吸孔抽取真空时，所述密封圈根据所述吸孔抽取真空的时刻和真空度依次与硅片相互挤压而形成真空。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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