[发明专利]高可靠LDMOS功率器件有效
| 申请号： | 201210103642.5 | 申请日： | 2012-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN102610649A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 姜一波;杜寰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种高可靠LDMOS功率器件，包括：体接触区及隔离区；所述隔离区设置在LDMOS功率器件的漏端注入区和所述体接触区之间；所述隔离区设置在LDMOS功率器件的漂移区和所述体接触区之间；通过体引出引出并抽取所述体接触区附近载流子，控制所述体接触区附近电位。本发明提供的高可靠LDMOS功率器件，通过STI隔离或者FOX隔离等手段，在LDMOS功率器件的漏端注入区或漂移区附近形成体接触区域并通过体引出引出并抽取体接触区附近载流子，控制体接触区附近电位，即避免了由噪声电流或者碰撞电流引起的寄生晶体管开启而导致的LDMOS器件损伤或烧毁，又扩展了LDMOS功率器件的电学安全工作区域，增强了器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 可靠 ldmos 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种高可靠LDMOS功率器件，其特征在于，包括：体接触区及隔离区；所述隔离区设置在LDMOS功率器件的漏端注入区和所述体接触区之间；所述隔离区设置在LDMOS功率器件的漂移区和所述体接触区之间；通过体引出引出并抽取所述体接触区附近载流子，控制所述体接触区附近电位。
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