[发明专利]半导体模块无效
| 申请号： | 201210102703.6 | 申请日： | 2012-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN102623428A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 太田达雄;筱原利彰 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/29 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种电极端子的可靠性高并且能够以低成本制造的半导体模块。本发明的半导体模块具备：绝缘板（2）；多个金属图案（22、23），在绝缘板（2）上彼此离开地形成；功率器件芯片（3），焊接在一个金属图案（22）上；引线框架（5），焊接在未焊接有功率器件芯片（3）的金属图案（23）上和功率器件芯片（3）上；外部主电极（51），设置于外围壳体（8），在未接合有功率器件芯片（3）的金属图案（23）上利用引线键合与引线框架（5）接合；密封树脂（7），利用灌注形成，密封功率器件芯片（3）、引线框架（5）、金属图案（22、23）。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 模块 | ||
【主权项】：
一种半导体模块，其中，具备：绝缘板；多个金属图案，在所述绝缘板上彼此离开地形成；功率器件芯片，焊接在一个所述金属图案上；引线框架，焊接在未焊接有所述功率器件芯片的所述金属图案上和所述功率器件芯片上；外部主电极，设置于外围壳体，在未接合有所述功率器件芯片的所述金属图案上利用引线键合与所述引线框架接合；以及密封树脂，利用灌注形成，密封所述功率器件芯片、所述引线框架、所述金属图案。
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