[发明专利]半导体模块无效

专利信息
申请号: 201210102703.6 申请日: 2012-04-10
公开(公告)号: CN102623428A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 太田达雄;筱原利彰 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/29
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 闫小龙;王忠忠
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 模块
【权利要求书】:

1.一种半导体模块,其中,具备:

绝缘板;

多个金属图案,在所述绝缘板上彼此离开地形成;

功率器件芯片,焊接在一个所述金属图案上;

引线框架,焊接在未焊接有所述功率器件芯片的所述金属图案上和所述功率器件芯片上;

外部主电极,设置于外围壳体,在未接合有所述功率器件芯片的所述金属图案上利用引线键合与所述引线框架接合;以及

密封树脂,利用灌注形成,密封所述功率器件芯片、所述引线框架、所述金属图案。

2.一种半导体模块,其中,具备:

绝缘板;

金属图案,形成在所述绝缘板上;

功率器件芯片和绝缘垫片,单独焊接在所述金属图案上;

引线框架,焊接在所述功率器件芯片上和所述绝缘垫片上;

外部主电极,设置于外围壳体,在所述绝缘垫片上利用引线键合与所述引线框架接合;以及

密封树脂,利用灌注形成,密封所述功率器件芯片、所述绝缘垫片、所述引线框架、所述金属图案。

3.一种半导体模块,其中,具备:

绝缘板;

金属图案,形成在所述绝缘板上;

功率器件芯片和续流二极管芯片,单独焊接在所述金属图案上;

引线框架,焊接在所述功率器件芯片上和所述续流二极管芯片上;

外部主电极,设置于外围壳体,在所述续流二极管芯片上利用引线键合与所述引线框架接合;以及

密封树脂,利用灌注形成,密封所述功率器件芯片、所述续流二极管芯片、所述引线框架、所述金属图案。

4.根据权利要求1~3的任意一项所述的半导体模块,其中,

所述密封树脂是使液状环氧树脂硬化后的树脂。

5.根据权利要求1~3的任意一项所述的半导体模块,其中,

代替焊接而利用纳米银接合将所述功率器件芯片与所述金属图案以及所述引线框架接合。

6.根据权利要求1~3的任意一项所述的半导体模块,其中,

在所述外围壳体的内部还具备对所述灌注的密封树脂以外的部分进行密封的硅酮树脂。

7.根据权利要求6所述的半导体模块,其特征在于,

不具有所述灌注的密封树脂,利用所述硅酮树脂进行由该密封树脂所进行的密封。

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