[发明专利]一种制备碳化硅微纳米针尖的方法有效
| 申请号： | 201210102560.9 | 申请日： | 2012-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN102642805A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 张海霞;唐伟;孟博 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备碳化硅微纳米针尖的方法，用标准半导体工艺中的光刻和湿法腐蚀在硅片正面制得倒金字塔结构的凹陷，作为针尖的模版；然后在硅片上生长SiC薄膜，并开窗口定义出SiC针尖和悬臂梁结构；同时用光刻和湿法腐蚀(或干法刻蚀)在玻璃片的正面制作出凹槽结构；将硅片和玻璃片的图形面键合在一起；最后腐蚀去除Si衬底，释放出SiC针尖和悬臂梁结构，制得碳化硅微纳米针尖。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 碳化硅 纳米 针尖 方法 | ||
【主权项】：
一种制备碳化硅微纳米针尖的方法，包括以下步骤：a、在一硅片的正面通过光刻和湿法腐蚀制作出倒金字塔结构的凹陷作为针尖的模版；b、在步骤a所得硅片的正面淀积碳化硅薄膜；c、通过光刻和刻蚀碳化硅薄膜形成窗口，定义出碳化硅针尖和连接针尖的悬臂梁结构的形状；d、在一玻璃片的正面通过光刻并腐蚀或刻蚀制作凹槽；e、将玻璃片的凹槽对准硅片上的碳化硅针尖和悬臂梁结构，通过阳极键合使硅片和玻璃片键合在一起；f、将步骤e获得的键合片通过湿法腐蚀去除Si，释放出针尖和悬臂梁结构。
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