[发明专利]一种制备碳化硅微纳米针尖的方法

权利要求书

1.一种制备碳化硅微纳米针尖的方法，包括以下步骤：

a、在一硅片的正面通过光刻和湿法腐蚀制作出倒金字塔结构的凹陷作为针尖的模版；

b、在步骤a所得硅片的正面淀积碳化硅薄膜；

c、通过光刻和刻蚀碳化硅薄膜形成窗口，定义出碳化硅针尖和连接针尖的悬臂梁结构的形状；

d、在一玻璃片的正面通过光刻并腐蚀或刻蚀制作凹槽；

e、将玻璃片的凹槽对准硅片上的碳化硅针尖和悬臂梁结构，通过阳极键合使硅片和玻璃片键合在一起；

f、将步骤e获得的键合片通过湿法腐蚀去除Si，释放出针尖和悬臂梁结构。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤a中湿法腐蚀所用腐蚀液为质量浓度为20～40％的氢氧化钾溶液。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤a中湿法腐蚀的腐蚀时间为5～500分钟。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤b所淀积的碳化硅薄膜厚度为100纳米～10微米。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤b采用等离子体化学气相淀积方法淀积碳化硅，淀积条件是：压力700～1200mTorr；温度200～400℃；SiH₄：20～60sccm，CH₄：200～400sccm，Ar：200～400sccm；每个周期高频电源作用10～20s，低频电源作用20～30s；功率200～400W。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤c采用感应耦合等离子体刻蚀技术刻蚀氮化硅薄膜。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤e阳极键合的条件是：键合腔内的压强为1～0.001mbar，温度为200℃～450℃，键合极板施加的压力为200～800mbar，电压为300～900V，键合时间为3～15min。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤f湿法腐蚀Si的方法是将键合片置于质量浓度为20～40％的KOH溶液中腐蚀。