[发明专利]半导体装置及其驱动方法

摘要

本发明涉及半导体装置及其驱动方法。根据本发明，提供了一种不需要复杂的制造工序且可以抑制耗电量的存储装置。该存储装置包括易失性第一存储电路和具有其沟道形成在氧化物半导体层中的晶体管的非易失性第二存储电路，其中在进行高频率驱动时，在有电源电压供应的期间中，对第一存储电路写入数据信号并输出该数据信号，并且在停止供应电源电压之前且有电源电压供应的期间的一部分中，对第二存储电路写入数据信号；在进行低频率驱动时，在有电源电压供应的期间中，对第二存储电路写入数据信号，将写入到第二存储电路的数据信号写入到第一存储电路，并且输出写入到第一存储电路的数据信号。

主权项

一种半导体装置，包括：易失性存储电路；非易失性存储电路，该非易失性存储电路包括存储电容和第一晶体管，该第一晶体管包括包含沟道形成区的氧化物半导体膜；选择电路，该选择电路包括第一输入端子、第二输入端子以及输出端子；第一开关；以及第二开关，其中，所述选择电路的第一输入端子与所述第一开关及所述第一晶体管的第一端子电连接，所述选择电路的第二输入端子与所述存储电容及所述第一晶体管的第二端子电连接，并且，所述选择电路的输出端子通过所述易失性存储电路与所述第二开关电连接。