[发明专利]半导体装置及其驱动方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

易失性存储电路；

非易失性存储电路，该非易失性存储电路包括存储电容和第一晶体管，该第一晶体管包括包含沟道形成区的氧化物半导体膜；

选择电路，该选择电路包括第一输入端子、第二输入端子以及输出端子；

第一开关；以及

第二开关，

其中，所述选择电路的第一输入端子与所述第一开关及所述第一晶体管的第一端子电连接，

所述选择电路的第二输入端子与所述存储电容及所述第一晶体管的第二端子电连接，

并且，所述选择电路的输出端子通过所述易失性存储电路与所述第二开关电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述易失性存储电路包括第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的输出端子与所述第二反相器的输入端子电连接，并且所述第二反相器的输出端子与所述第一反相器的输入端子电连接。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述选择电路和所述易失性存储电路中的至少一个包括第二晶体管，并且所述第二晶体管的场效应迁移率高于所述第一晶体管的场效应迁移率。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中在所述第一开关导通的第一情况下，所述第二开关截止，并且在所述第一开关截止的第二情况下，所述第二开关导通。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述易失性存储电路只在有电源电压供应的期间中保持数据信号。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中根据输入到所述选择电路的选择信号，所述选择电路将向所述第一输入端子或所述第二输入端子的信号的输入转换成向所述易失性存储电路的所述输入到所述第一输入端子或所述第二输入端子的信号的输出。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：位于所述第一开关与所述第一晶体管的第一端子之间的第一节点；以及位于所述存储电容与所述第一晶体管的第二端子之间的第二节点，其中所述选择电路的第一输入端子与所述第一节点直接连接，并且所述选择电路的第二输入端子与所述第二节点直接连接。

8.一种包括存储装置的半导体装置的驱动方法，该存储装置包括：易失性存储电路；非易失性存储电路，该非易失性存储电路包括存储电容和第一晶体管，该第一晶体管包括包含沟道形成区的氧化物半导体膜；选择电路，该选择电路包括第一输入端子、第二输入端子以及输出端子；第一开关；以及第二开关，其中所述选择电路的第一输入端子与所述第一开关及所述第一晶体管的第一端子电连接，所述选择电路的第二输入端子与所述存储电容及所述第一晶体管的第二端子电连接，并且，所述选择电路的输出端子通过所述易失性存储电路与所述第二开关电连接，

在高频工作模式中，上述驱动方法包括如下步骤：

使所述第一开关导通，使所述第一晶体管截止，并将第一数据信号输入到所述易失性存储电路；

使所述第一开关截止，使所述第一晶体管导通，并将存储在所述易失性存储电路中的所述第一数据信号输入到所述存储电容；

在将所述第一数据信号输入到所述存储电容之后，停止将第一电源电压施加到所述存储装置；

再开始将第一电源电压施加到所述存储装置；以及

转换所述选择电路，并将存储在所述存储电容中的所述第一数据信号输入到所述易失性存储电路，

并且，在低频工作模式中，上述驱动方法包括如下步骤：

使所述第一开关导通，使所述第一晶体管导通，并将第二数据信号输入到所述易失性存储电路和所述存储电容；

在将所述第二数据信号输入到所述存储电容之后，使所述第一晶体管截止，并停止将第二电源电压施加到所述存储装置；

再开始将第二电源电压施加到所述存储装置；以及

转换所述选择电路，并将存储在所述存储电容中的所述第二数据信号输入到所述易失性存储电路。

9.根据权利要求8所述的驱动方法，其中所述易失性存储电路包括第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的输出端子与所述第二反相器的输入端子电连接，并且所述第二反相器的输出端子与所述第一反相器的输入端子电连接。

10.根据权利要求8所述的驱动方法，其中所述选择电路和所述易失性存储电路中的至少一个包括第二晶体管，并且所述第二晶体管的场效应迁移率高于所述第一晶体管的场效应迁移率。