[发明专利]一种晶体培养连续过滤自动控制方法无效
| 申请号： | 201210098340.3 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102618916A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 潘丰;王凯;张相胜;李艳坡 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | C30B7/08 | 分类号： | C30B7/08;C30B29/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214122 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体培养连续过滤自动控制方法，属于过程控制先进控制领域，适用于快速生长大尺寸KDP和DKDP晶体的培养，此方法涉及温度控制、流量联动控制、报警控制、历史数据存储与分析等方法。本发明在晶体培养过程中通过对生长溶液进行循环过滤，克服溶液自发结晶的影响，使杂晶与无关颗粒大量减少，提高了大尺寸晶体的生长速度和质量，保证KDP和DKDP晶体具有大尺寸、低错位度、高光学均匀性和高激光损伤阈值等特征。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 培养 连续 过滤 自动控制 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体培养连续过滤自动控制方法，其特征是，在快速生长大尺寸KDP和DKDP晶体培养过程中对生长溶液进行循环过滤，滤除生长溶液因自发结晶和育晶槽中旋转部件的影响而产生的不规则杂晶以及生长溶液中滋生的微生物，避免这些颗粒和杂质在生长过程中被包含在晶体里，破坏生长晶体的光学品质。
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