[发明专利]一种晶体培养连续过滤自动控制方法

权利要求书

1.一种晶体培养连续过滤自动控制方法，其特征是，在快速生长大尺寸KDP和DKDP晶体培养过程中对生长溶液进行循环过滤，滤除生长溶液因自发结晶和育晶槽中旋转部件的影响而产生的不规则杂晶以及生长溶液中滋生的微生物，避免这些颗粒和杂质在生长过程中被包含在晶体里，破坏生长晶体的光学品质。

2.根据权利要求1所述晶体培养连续过滤自动控制方法，其特征是，生长溶液的循环过滤过程是，从育晶槽流出的带有颗粒杂质的生长溶液，先加热溶解杂晶，然后经过滤器滤除无关杂质，最后通过降温使回流到育晶槽里的溶液温度恢复到与育晶槽里的溶液温度一致，避免对育晶槽里的溶液造成扰动，从而完成连续过滤循环。

3.根据权利要求1所述晶体培养连续过滤自动控制方法，其特征是，温度控制方法的特点是，生长溶液在连续过滤系统中循环，要满足以下2个要求：

(1)以育晶槽内的温度为基准温度，根据设定要求，热水浴、冷水浴分别相对基准温度相差Δ₁和Δ₃并保持恒定；

(2)育晶槽中的温度，需在一个生长周期内从75℃缓慢降到室温，连续过滤系统的整体降温速度必须与育晶槽中的降温速度一致，使准备回流到育晶槽里的溶液也处于准稳定区和适当的过饱和度，避免与育晶槽中的溶液状态不一致造成扰动。

4.一种晶体培养连续过滤自动控制方法，包括温度控制、流量联动控制、报警控制、历史数据存储与分析等方法，系统组成涉及PLC、触摸屏、相关执行器和检测传感器，其特征是，晶体生长是一个连续无间歇的过程，最短也要几个月，系统必须具备长时间、连续工作的特性。