[发明专利]一种双应力薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201210098206.3 | 申请日： | 2012-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN102637590A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 张文广;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种双应力薄膜的制备方法。本发明提出一种双应力薄膜的制备方法，通过采用掺氮的碳化硅薄膜代替传统的氮化硅薄膜，形成高应力的双应力薄膜，不仅能满足一些先进器件RC延迟的要求，还避免了传统氮化硅双应力薄膜工艺存在的交叠区域问题，从而解决了因为交叠区域而造成良率的损失，且工艺简单易实施。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应力 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双应力薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在一包含有NMOS和PMOS的半导体结构上沉积掺氮的碳化硅薄膜；步骤S2：采用光刻工艺于PMOS上形成第一光阻，并以该第一光阻为掩膜对覆盖在NMOS上的掺氮的碳化硅薄膜进行UV光照射，形成覆盖在NMOS上的高拉应力薄膜；步骤S3：去除所述第一光阻后，再次采用光刻工艺于NMOS上形成第二光阻，并以该第二光阻为掩膜对覆盖在PMOS上的掺氮的碳化硅薄膜进行等离子轰击工艺，去除所述第二光阻，形成覆盖在PMOS上的压应力薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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