[发明专利]磁阻元件和磁存储器有效
| 申请号： | 201210097760.X | 申请日： | 2012-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN102856489A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 西山胜哉;相川尚德;甲斐正;永濑俊彦;上田公二;与田博明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及磁阻元件和磁存储器。根据一个实施例，一种磁阻元件包括：存储层(2)，其具有垂直且可变的磁化；参考层(4)，其具有垂直且恒定的磁化；偏移调整层(6)，其具有沿与所述参考层(4)的磁化相反的方向的垂直且恒定的磁化；第一非磁性层(3)，其在所述存储层(2)与所述参考层(4)之间；以及第二非磁性层(5)，其在所述参考层(4)与所述偏移调整层(6)之间。所述参考层(4)的切换磁场等于或小于所述存储层(2)的切换磁场，且所述参考层(4)的磁弛豫常数大于所述存储层(2)的磁弛豫常数。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 元件 磁存储器 | ||
【主权项】：
一种磁阻元件，包括：存储层，其具有垂直且可变的磁化；参考层，其具有垂直且恒定的磁化；偏移调整层，其具有沿与所述参考层的磁化相反的方向的垂直且恒定的磁化；第一非磁性层，其在所述存储层与所述参考层之间；以及第二非磁性层，其在所述参考层与所述偏移调整层之间，该磁阻元件的特征在于，所述参考层的切换磁场等于或小于所述存储层的切换磁场，且所述参考层的磁弛豫常数大于所述存储层的磁弛豫常数。
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