[发明专利]磁阻元件和磁存储器

权利要求书

1.一种磁阻元件，包括：

存储层，其具有垂直且可变的磁化；

参考层，其具有垂直且恒定的磁化；

偏移调整层，其具有沿与所述参考层的磁化相反的方向的垂直且恒定的磁化；

第一非磁性层，其在所述存储层与所述参考层之间；以及

第二非磁性层，其在所述参考层与所述偏移调整层之间，

该磁阻元件的特征在于，所述参考层的切换磁场等于或小于所述存储层的切换磁场，且所述参考层的磁弛豫常数大于所述存储层的磁弛豫常数。

2.根据权利要求1的元件，

其特征在于，所述参考层的有效磁各向异性等于或小于所述存储层的有效磁各向异性。

3.根据权利要求1的元件，

其特征在于，所述参考层被设置在所述存储层上方，且所述偏移调整层被设置在所述参考层上方。

4.根据权利要求1的元件，

其特征在于，所述参考层包括人工晶格系列和RE-TM合金系列中的一种。

5.根据权利要求1的元件，

其特征在于，所述存储层包括CoFe-X系列(X为B、C、N中的至少一种)、有序合金系列、人工晶格系列和无序合金系列中的一种。

6.根据权利要求1的元件，

其特征在于，在所述存储层与所述第一非磁层之间的空间和所述参考层与所述第一非磁性层之间的空间中的至少一个中插入界面层。

7.根据权利要求1的元件，

其特征在于，所述界面层包括(Co_100-xFe_X)_100-yB_y(其中x≥50at％且0≤y≤30at％)。

8.一种磁存储器，其特征在于包括：

权利要求1的元件；以及

写入电路，其允许双向电流流过所述磁阻元件，以使所述存储层与所述参考层之间的磁化方向的关系变为平行或反平行。

9.根据权利要求8的存储器，其特征在于还包括：

开关元件，其被设置在所述磁阻元件正下方，并被配置为选择性地允许所述双向电流流过所述磁阻元件。

10.根据权利要求9的存储器，

其特征在于，所述磁阻元件和所述开关元件被串联连接，以构成包括第一和第二端子以及控制端子的串联连接器，所述控制端子决定所述开关元件的开/关状态，

所述第一端子被连接到第一位线，所述第二端子被连接到第二位线，且所述控制端子被连接到字线。