[发明专利]苯并吡咯二酮基的半导体聚合物及其制备、用途

摘要

本发明涉及一种苯并吡咯二酮基的半导体聚合物及其制备、用途。所述苯并吡咯二酮衍生物的结构式如下：其中，R₁为C₈～C₂₀烷烃链，R₂为C₈～C₂₀烷烃链，n≥1。本发明还涉及所述苯并吡咯二酮基的半导体聚合物的制备方法以及其作为半导体活性层在有机薄膜光伏器件中的用途。本发明的苯并吡咯二酮基的半导体聚合物含新颖的刚性平面的大π共轭的可溶性的苯并吡咯二酮单元和柔性促溶的烷基链，是主链共轭的可溶液加工的低能隙聚合物，薄膜光伏器件研究表明这类材料具有薄膜光伏应用潜力。

主权项

1.一种苯并吡咯二酮基的半导体聚合物，其特征在于，所述半导体聚合物的结构式如式(I)所示：其中，R₁为C₈～C₂₀烷烃链；R₂为C₈～C₂₀烷烃链，n≥1。