[发明专利]苯并吡咯二酮基的半导体聚合物及其制备、用途

权利要求书

1.一种苯并吡咯二酮基的半导体聚合物，其特征在于，所述半导体聚合物的结构式如式(I)所示：

其中，R₁为C₈～C₂₀烷烃链；R₂为C₈～C₂₀烷烃链，n≥1。

2.一种制备如权利要求1所述的苯并吡咯二酮基的半导体聚合物的方法，其特征在于，包括如下步骤：

a、将未被烷基取代的苯并吡咯二酮的中间体A，在有机溶剂中加热反应引入柔性烷基侧链，得到烷基取代的苯并吡咯二酮单体M；

b、将烷基取代的苯并吡咯二酮基的单体M与二甲基锡共轭单体D在无水有机溶剂中共聚，索氏提取得到所述的半导体聚合物。

3.根据权利要求2所述的苯并吡咯二酮基的半导体聚合物的制备方法，其特征在于，步骤a中，所述中间体A的结构式如式(II)所示：

所述单体M的结构式如式(III)所示：

其中，R₂为C₈～C₂₀烷烃链。

4.根据权利要求2所述的苯并吡咯二酮基的半导体聚合物的制备方法，其特征在于，步骤a中，所述在有机溶剂中加热反应引入可溶性的烷基侧链具体为：将中间体A以极性有机溶剂为介质，无机碱为催化剂，50～100℃加热4～48小时；以重量比为1∶0.05～1∶20的二氯甲烷和石油醚为洗脱剂，洗脱得到单体M。

5.根据权利要求4所述的苯并吡咯二酮基的半导体聚合物的制备方法，其特征在于，所述极性有机溶剂为N-甲基吡咯烷酮；所述无机碱为叔丁基醇钾。

6.根据权利要求2所述的苯并吡咯二酮基的半导体聚合物的制备方法，其特征在于，步骤b中，所述二甲基锡共轭单体D的结构式如式(IV)所示：

其中，R₁为C₈～C₂₀烷烃链。

7.根据权利要求2所述的苯并吡咯二酮基的半导体聚合物的制备方法，其特征在于，步骤b中，所述共聚的反应时间为6～48小时，反应温度为80℃～120℃；所述无水有机溶剂为无水甲苯、无水氯苯或四氢呋喃。

8.根据权利要求2所述的苯并吡咯二酮基的半导体聚合物的制备方法，其特征在于，步骤b中，所述索氏提取依次采用的溶剂为甲醇、正己烷和氯仿。

9.一种如权利要求1所述的苯并吡咯二酮基的半导体聚合物与PC71BM共混作为半导体有机层在有机光伏器件测试中的用途。