[发明专利]化学机械研磨后清洗方法以及化学机械研磨方法在审
| 申请号： | 201210093907.8 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102623308A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 李儒兴;秦海燕;李志国;龚大伟;王雷 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/04 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅化学机械研磨后清洗方法以及化学机械研磨方法。根据本发明的化学机械研磨后清洗方法包括：首先，在兆声波清洗步骤中，利用NH4OH的质量百分比为2.8+/-0.2％、H2O2的质量百分比为3.0+/-0.2％的富H2O2的SCl溶液进行兆声波清洗；此后，在后续的PVA(聚乙烯醇)刷子刷洗步骤中，利用NH4OH(氨水)和DIW(去离子水)清洗晶圆并刷洗晶圆表面。本发明利用高浓度SCl(刻蚀剂为NH4OH)来提高对自然氧化层的刻蚀效率，由此可以获得更好的清洗效果，同时利用SCl中的更高浓度的H2O2来氧化多晶硅形成氧化层，从而保证在获得较好的清洗效果的同时也会在多晶硅表面生成一定厚度的自然氧化层，使得后续的刷子清洗过程不会在多晶硅上形成有机物污染层，从而不会由于多晶硅上的污染而影响多晶硅在空气中的自然氧化层的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 清洗 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种化学机械研磨后清洗方法，其特征在于包括：首先，在兆声波清洗步骤中，利用NH4OH的质量百分比为2.8+/‑0.2％、H2O2的质量百分比为3.0+/‑0.2％的SCl溶液进行兆声波清洗；此后，在PVA刷洗步骤中，利用NH4OH(氨水)和DIW(去离子水)清洗晶圆并刷洗晶圆表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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