[发明专利]化学机械研磨后清洗方法以及化学机械研磨方法在审
| 申请号： | 201210093907.8 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102623308A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 李儒兴;秦海燕;李志国;龚大伟;王雷 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/04 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 清洗 方法 以及 | ||
【权利要求书】：
1.一种化学机械研磨后清洗方法，其特征在于包括：
首先，在兆声波清洗步骤中，利用NH4OH的质量百分比为2.8+/-0.2％、H2O2的质量百分比为3.0+/-0.2％的SCl溶液进行兆声波清洗；此后，在PVA刷洗步骤中，利用NH4OH(氨水)和DIW(去离子水)清洗晶圆并刷洗晶圆表面。
2.根据权利要求1所述的化学机械研磨后清洗方法，其特征在于，所述化学机械研磨后清洗方法用于MOS器件的源极多晶硅的化学机械研磨后清洗。
3.根据权利要求1或2所述的化学机械研磨后清洗方法，其特征在于，SCl溶液中的刻蚀剂为NH4OH。
4.根据权利要求1或2所述的化学机械研磨后清洗方法，其特征在于，所述化学机械研磨后清洗方法用于MOS晶体管的源极多晶硅的化学机械研磨后清洗。
5.一种化学机械研磨后清洗方法，其特征在于采用了根据权利要求1或2所述的化学机械研磨后清洗方法。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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