[发明专利]大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法无效
| 申请号： | 201210093603.1 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102610716A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 孙波;赵丽霞;伊晓燕;刘志强;魏学成;王国宏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上外延生长GaN缓冲层和n-GaN层；步骤3：在n-GaN层上生长中间层；步骤4：在中间层上生长纳米图形层；步骤5：采用等离子体刻蚀的方法，刻蚀中间层，刻蚀深度到达n-GaN层的表面；步骤6：采用等离子体刻蚀的方法，刻蚀n-GaN层，刻蚀深度小于n-GaN层的厚度，完成图形衬底的制备。其可实现低成本，可工业化生产纳米图形衬底，进而提高氮化镓材料的材料质量。 | ||
| 搜索关键词： | 大面积 制作 纳米 氮化 图形 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上外延生长GaN缓冲层和n‑GaN层；步骤3：在n‑GaN层上生长中间层；步骤4：在中间层上生长纳米图形层；步骤5：采用等离子体刻蚀的方法，刻蚀中间层，刻蚀深度到达n‑GaN层的表面；步骤6：采用等离子体刻蚀的方法，刻蚀n‑GaN层，刻蚀深度小于n‑GaN层的厚度，完成图形衬底的制备。
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