[发明专利]大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法

权利要求书

1.一种大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法，包括以下步骤：

步骤1：取一衬底；

步骤2：在衬底上外延生长GaN缓冲层和n-GaN层；

步骤3：在n-GaN层上生长中间层；

步骤4：在中间层上生长纳米图形层；

步骤5：采用等离子体刻蚀的方法，刻蚀中间层，刻蚀深度到达n-GaN层的表面；

步骤6：采用等离子体刻蚀的方法，刻蚀n-GaN层，刻蚀深度小于n-GaN层的厚度，完成图形衬底的制备。

2.如权利要求1所述的大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法，其中衬底的材料为硅、蓝宝石或氮化镓，衬底的表面是平面或微图形PSS，或者纳米图形。

3.如权利要求1所述的大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法，其中中间层是采用等离子增强气相沉积的方法生长的，该中间层的材料为SiO₂或者Si₃N₄。

4.如权利要求1所述的大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法，其中纳米图形层是采用电子束蒸镀倾斜生长的，纳米图形层的材料为Ni、Cr、Ag或Au，或及其组合物。

5.如权利要求1所述的大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法，其中衬底上的纳米氮化镓图形的横向尺寸为10-300nm。

6.如权利要求5所述的大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法，其中衬底上的纳米氮化镓图形的形状为矩形、圆形、菱形或多边形。

7.如权利要求1所述的大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法，其中衬底上的纳米氮化镓图形的排列是周期排列或自组装排列。