[发明专利]半导体发光器件及其制备方法无效
| 申请号： | 201210093235.0 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102623603A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 金迎春;徐瑾;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体发光器件及其制备方法，属于光电技术领域。所述半导体发光器件包括：衬底、设于所述衬底上的外延层和设于所述外延层上的电极层；所述衬底的底面和所述电极层的表面中的至少一个形成有多个凸起和/或孔，所述凸起和所述孔均从所述底面或所述电极层的表面向所述半导体发光器件的内部延伸，所述凸起的高度至少为0.1μm，所述孔的深度至少为0.1μm。本发明实施例采用多孔氧化铝模板，在半导体发光器件的电极层表面和/或衬底的底面形成多个凸起和/或孔，可以有效提高半导体发光器件的取光效率，工艺简单，易于控制，适于大批量生产，进而降低了半导体发光器件的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括衬底、设于所述衬底上的外延层和设于所述外延层上的电极层，所述外延层包括依次层叠在所述衬底的顶面上的第一半导体层、活性层和第二半导体层；所述电极层上设有第一电极，所述第二半导体层或所述衬底的底面设有第二电极，其特征在于，所述衬底的底面和所述电极层的表面中的至少一个形成有多个凸起和/或孔，所述凸起和所述孔均从所述底面或所述电极层的表面向所述半导体发光器件的内部延伸，所述凸起的高度至少为0.1μm，所述孔的深度至少为0.1μm。
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