[发明专利]半导体发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括衬底、设于所述衬底上的外延层和设于所述外延层上的电极层，所述外延层包括依次层叠在所述衬底的顶面上的第一半导体层、活性层和第二半导体层；所述电极层上设有第一电极，所述第二半导体层或所述衬底的底面设有第二电极，其特征在于，

所述衬底的底面和所述电极层的表面中的至少一个形成有多个凸起和/或孔，所述凸起和所述孔均从所述底面或所述电极层的表面向所述半导体发光器件的内部延伸，所述凸起的高度至少为0.1μm，所述孔的深度至少为0.1μm。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述凸起和所述孔从所述电极层表面延伸至所述外延层的与所述电极层相邻的表面，或者从所述电极层表面延伸至所述第二半导体层内部。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述凸起和孔为以下形状中的一种或任意组合：柱状、锥状、梯形台状和蒙古包状。

4.一种如权利要求1-3任一项所述的半导体发光器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供待加工的半导体发光器件，所述待加工的半导体发光器件包括衬底、设于所述衬底上的外延层和设于所述外延层上的电极层，所述外延层包括依次层叠在所述衬底的顶面上的第一半导体层、活性层和第二半导体层；所述电极层上设有第一电极，所述第二半导体层或所述衬底的底面设有第二电极；

以多孔氧化铝模板为掩膜，对所述电极层的表面和/或所述衬底的底面进行刻蚀，从而在所述电极层或衬底的底面的表面形成多个孔，所述多孔氧化铝模板通过阳极氧化法制造。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述以多孔氧化铝模板为掩膜，对所述电极层或所述衬底的底面进行刻蚀，包括：

在所述电极层的表面或所述衬底的底面形成一层铝膜，所述铝膜的厚度为0.1μm-10μm，通过阳极氧化法，将铝膜氧化成多孔氧化铝模板。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述多孔氧化铝模板上的小孔的直径为0.1μm-10μm。

7.一种如权利要求1-3任一项所述的半导体发光器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供待加工的半导体发光器件，所述待加工的半导体发光器件包括衬底、设于所述衬底上的外延层和设于所述外延层上的电极层，所述外延层包括依次层叠在所述衬底的顶面上的第一半导体层、活性层和第二半导体层；所述电极层上设有第一电极，所述第二半导体层或所述衬底的底面设有第二电极；

在所述电极层的表面和/或所述衬底的底面涂覆一层光刻胶层；

提供多孔氧化铝模板，所述多孔氧化铝模板通过阳极氧化法制造；

以氧化铝模板为压印模，在所述光刻胶层上压出预定形状的光刻胶图形；

移除所述氧化铝模板；

以压印后的光刻胶层为掩膜，对所述电极层或所述衬底的底面进行刻蚀，从而在所述电极层或衬底的底面的表面形成多个凸起。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，涂覆的所述光刻胶层的厚度为0.1μm-10μm。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述多孔氧化铝模板上的小孔的直径为0.1μm-10μm。