[发明专利]磁阻传感器结构及电流垂直于平面型磁阻读头无效
| 申请号： | 201210093057.1 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102737649A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | A.M.泽尔特瑟;S.马特 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;G11B5/127 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及磁阻传感器结构及电流垂直于平面型磁阻读头。用于磁记录盘驱动器的CPP-GMR或CPP-TMR读头的硬磁体偏置结构位于传感器的两个屏蔽件之间并邻接传感器自由层的侧边缘。绝缘层位于偏置结构与下屏蔽件和自由层的侧边缘之间。偏置结构包括Ir或Ru的籽层、在该籽层上的一层铁磁化学有序FePt合金硬偏置层、以及在该FePt合金硬偏置层上的Ru或Ru/Ir盖层。FePt合金具有面心四方结构，其c轴基本在层的平面中。相对薄的籽层和盖层允许偏置结构制得很薄，同时仍然允许FePt合金硬偏置层具有高矫顽力(Hc)、高剩余磁化-厚度乘积(Mrt)和高矩形度(S＝Mr/Ms)。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 传感器 结构 电流 垂直 平面 | ||
【主权项】：
一种磁阻传感器结构，包括：衬底；磁阻传感器，在所述衬底上并包括叠层，所述叠层包括铁磁自由层，该自由层具有前边缘、从所述前边缘缩进的背边缘以及两个间隔开的侧边缘；电绝缘层，在所述自由层的所述侧边缘上并与之接触以及在所述衬底的与所述传感器相邻的区域上；籽层，由选自Ir和Ru的材料构成，在所述电绝缘层上并与之接触；铁磁化学有序FePt合金层，在所述籽层上并与之接触，所述FePt合金具有c轴基本在层平面中的面心四方结构；及盖层，包括Ru层，在所述FePt合金层上并与之接触。
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