[发明专利]磁阻传感器结构及电流垂直于平面型磁阻读头

权利要求书

1.一种磁阻传感器结构，包括：

衬底；

磁阻传感器，在所述衬底上并包括叠层，所述叠层包括铁磁自由层，该自由层具有前边缘、从所述前边缘缩进的背边缘以及两个间隔开的侧边缘；

电绝缘层，在所述自由层的所述侧边缘上并与之接触以及在所述衬底的与所述传感器相邻的区域上；

籽层，由选自Ir和Ru的材料构成，在所述电绝缘层上并与之接触；

铁磁化学有序FePt合金层，在所述籽层上并与之接触，所述FePt合金具有c轴基本在层平面中的面心四方结构；及

盖层，包括Ru层，在所述FePt合金层上并与之接触。

2.如权利要求1所述的传感器结构，其中所述籽层具有等于或大于且小于或等于的厚度。

3.如权利要求1所述的传感器结构，其中所述盖层由具有等于或大于且小于或等于的厚度的Ru层构成。

4.如权利要求1所述的传感器结构，其中所述盖层还包括在所述Ru层上并与之接触的Ir层。

5.如权利要求4所述的传感器结构，其中所述盖层的总厚度等于或大于且小于或等于

6.如权利要求1所述的传感器结构，其中沉积态的所述FePt合金层具有Fe_(100-x)Pt_x形式的成分，其中x是原子百分比并大于或等于43且小于或等于48。

7.如权利要求1所述的传感器结构，其中所述FePt合金层具有等于或大于且小于或等于的厚度。

8.如权利要求1所述的传感器结构，其中所述FePt合金层具有大于3500Oe的矫顽力H_c。

9.如权利要求1所述的传感器结构，其中所述FePt合金层具有大于0.85的剩余磁化M_r与饱和磁化M_s的比率S。

10.如权利要求1所述的传感器结构，其中所述FePt合金层具有大于1.2memu/cm²的剩余磁化-厚度乘积M_rt。

11.如权利要求1所述的传感器结构，其中所述电绝缘层由选自铝氧化物、钽氧化物、钛氧化物和硅氮化物的材料形成。

12.如权利要求1所述的传感器结构，其中

所述衬底是第一屏蔽层，该第一屏蔽层由导磁材料形成，

并且还包括位于传感器叠层和盖层上的导磁材料的第二屏蔽层。

13.如权利要求1所述的传感器结构，其中所述传感器是巨磁阻GMR传感器。

14.如权利要求1所述的传感器结构，其中所述传感器是隧穿磁阻TMR传感器。

15.一种电流垂直于平面型磁阻读头，用于磁记录盘驱动器，所述读头包括：

衬底；

导磁材料的第一屏蔽层，在所述衬底上；

传感器叠层，包括位于所述第一屏蔽层上的铁磁自由层并具有两个间隔开的侧边缘，所述自由层具有在存在来自盘上的记录数据的磁场时自由旋转的磁化；

电绝缘层，在所述自由层的侧边缘上并与之接触以及在所述第一屏蔽层的与所述传感器叠层相邻的区域上；

硬磁结构，包括：

籽层，由选自Ir和Ru的材料构成，在所述电绝缘层上并与之接触，所述籽层具有等于或大于且小于或等于的厚度；

铁磁化学有序FePt合金层，沉积在所述籽层上并与之接触，用于偏置所述自由层的磁化，并在沉积态具有Fe_(100-x)Pt_x形式的成分，其中x是原子百分比并大于或等于43且小于或等于48，所述FePt合金具有c轴基本在层平面中的面心四方结构；及

盖层，包括位于所述FePt合金层上并与之接触的Ru层，所述盖层具有等于或大于且小于或等于的厚度；以及

导磁材料的第二屏蔽层，在所述传感器叠层和所述盖层上。

16.如权利要求15所述的读头，其中所述FePt合金层具有大于3500Oe的矫顽力H_c。

17.如权利要求15所述的读头，其中所述FePt合金层具有大于0.85的剩余磁化M_r与饱和磁化M_s的比率S。