[发明专利]半导体器件

摘要

本发明涉及半导体器件。该半导体器件包括层叠的第一半导体基板和第二半导体基板；第一传输线，包括信号线和地线；第二传输线，包括信号线和地线；用于信号线的第一通孔层，由形成在通孔内的导体层构成，连接到第一传输线的信号线和第二传输线的信号线；用于地线的第一通孔层，由形成在通孔内的导体层构成，连接到第一传输线的地线和第二传输线的地线；以及用于地线的第二通孔层，由形成在通孔内的导体层构成，连接到第一传输线的地线和/或第二传输线的地线，且包括带状的通孔层，带状的通孔层形成为与用于信号线的第一通孔层相对。本发明的半导体器件能对用于将传输线互相连接的通孔层周围的接地进行强化并能调整通孔部分的特征阻抗。

主权项

一种半导体器件，包括：第一半导体基板和第二半导体基板，所述第一半导体基板和所述第二半导体基板层叠，并且在所述第一半导体基板和所述第二半导体基板之间布置有绝缘层；第一传输线，所述第一传输线形成在所述第一半导体基板上，所述第一传输线包括信号线和地线；第二传输线，所述第二传输线形成在所述第二半导体基板上，所述第二传输线包括信号线和地线；用于信号线的第一通孔层，所述用于信号线的第一通孔层是由形成在通孔内部的导体层构成，并且连接到所述第一传输线的信号线和所述第二传输线的信号线；用于地线的第一通孔层，所述用于地线的第一通孔层是由形成在通孔内部的导体层构成，并且连接到所述第一传输线的地线和所述第二传输线的地线；以及用于地线的第二通孔层，所述用于地线的第二通孔层是由形成在通孔内部的导体层构成，且连接到所述第一传输线的地线和/或所述第二传输线的地线，并且所述用于地线的第二通孔层包括在所述第一半导体基板和所述第二半导体基板的层叠方向上延伸的两个通孔层以及在所述两个通孔层之间延伸且连接所述两个通孔层的带状的通孔层，所述带状的通孔层形成为与所述用于信号线的第一通孔层相对，在所述带状的通孔层和所述用于信号线的第一通孔层之间具有间隔。