[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201210092828.5 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102738118B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 泽田宪 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/50 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人： | 陈桂香,武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
第一半导体基板和第二半导体基板，所述第一半导体基板和所述第二半导体基板层叠，并且在所述第一半导体基板和所述第二半导体基板之间布置有绝缘层；
第一传输线，所述第一传输线形成在所述第一半导体基板上，所述第一传输线包括信号线和地线；
第二传输线，所述第二传输线形成在所述第二半导体基板上，所述第二传输线包括信号线和地线；
用于信号线的第一通孔层，所述用于信号线的第一通孔层是由形成在通孔内部的导体层构成，并且连接到所述第一传输线的信号线和所述第二传输线的信号线；
用于地线的第一通孔层，所述用于地线的第一通孔层是由形成在通孔内部的导体层构成，并且连接到所述第一传输线的地线和所述第二传输线的地线；以及
用于地线的第二通孔层，所述用于地线的第二通孔层是由形成在通孔内部的导体层构成，且连接到所述第一传输线的地线和/或所述第二传输线的地线，并且所述用于地线的第二通孔层包括带状的通孔层，所述带状的通孔层形成为与所述用于信号线的第一通孔层相对。
2.如权利要求1所述的半导体器件，
其中，所述用于地线的第二通孔层形成为比所述用于地线的第一通孔层浅。
3.如权利要求1所述的半导体器件，还包括用于地线的第三通孔层，其位于所述用于地线的第一通孔层的与所述用于地线的第二通孔层侧相反的侧，所述用于地线的第三通孔层是由形成在通孔内部的导体层构成，并且所述用于地线的第三通孔层连接到所述第二传输线的地线。
4.如权利要求1所述的半导体器件，
其中，所述第一传输线和所述第二传输线均是共面线。
5.如权利要求1所述的半导体器件，
其中，所述第一传输线和所述第二传输线中的一者是共面线，另一者是微带线。
6.如权利要求1所述的半导体器件，
其中，所述第一传输线和所述第二传输线均是微带线。
7.如权利要求1所述的半导体器件，
其中，对于所述第一传输线的特征阻抗为Za且所述第二传输线的特征阻抗为Zb时，含有所述用于信号线的第一通孔层和所述用于地线的第二通孔层的通孔部分的特征阻抗是
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