[发明专利]一种新型电池的制备方法有效
申请号: | 201210092711.7 | 申请日: | 2012-03-31 |
公开(公告)号: | CN102623565A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 金浩 | 申请(专利权)人: | 光为绿色新能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京中海智圣知识产权代理有限公司 11282 | 代理人: | 李奎书 |
地址: | 074000 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明提供了一种新型电池的制备方法,其通过在硅片的正面和背面分别形成正电荷膜层和负电荷膜层而制成晶体硅太阳能电池,所述正电荷膜层通过PECVD镀膜工艺而形成,其中,所述负电荷膜层通过依次进行PECVD镀氮化硅减反射膜、印刷银浆栅、烧结和导入负电荷而形成,所述导入负电荷的方法为:将烧结完成的电池片背面向上放置在放电装置台上,开启电源,在正向电晕放电的作用下,沉积正电荷于背面PECVD膜层表面,通过电子隧道效应,将负电荷吸引至背面PECVD膜层中,从而导入负电荷,然后去掉背面PECVD膜层表面的正电荷。此方法成功导入稳定的负电荷,并同于背面钝化。用此种方法制得的电池背面钝化效果优良,使电池的开路电压和短路电流都得以提升,从而实现了效率的提升。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种新型电池的制备方法,其通过在硅片的正面和背面分别形成正电荷膜层和负电荷膜层而制成晶体硅太阳能电池,所述正电荷膜层通过PECVD镀膜工艺而形成,其特征在于,所述负电荷膜层通过依次进行PECVD镀氮化硅减反射膜、印刷银浆栅、烧结和导入负电荷而形成,所述导入负电荷的方法为:将烧结完成的电池片背面向上放置在放电装置台上,开启电源,在正向电晕放电的作用下,沉积正电荷于背面PECVD膜层表面,通过电子隧道效应,将负电荷吸引至背面PECVD膜层中,从而导入负电荷,然后去掉背面PECVD膜层表面的正电荷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的