[发明专利]一种新型电池的制备方法

权利要求书

1.一种新型电池的制备方法，其通过在硅片的正面和背面分别形成正电荷膜层和负电荷膜层而制成晶体硅太阳能电池，所述正电荷膜层通过PECVD镀膜工艺而形成，其特征在于，所述负电荷膜层通过依次进行PECVD镀氮化硅减反射膜、印刷银浆栅、烧结和导入负电荷而形成，所述导入负电荷的方法为：将烧结完成的电池片背面向上放置在放电装置台上，开启电源，在正向电晕放电的作用下，沉积正电荷于背面PECVD膜层表面，通过电子隧道效应，将负电荷吸引至背面PECVD膜层中，从而导入负电荷，然后去掉背面PECVD膜层表面的正电荷。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，电晕放电的电压为10±0.5KV，时间为0.5±0.05min。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在硅片正面进行PECVD镀膜前对硅片进行以下处理：清洗制绒，扩散制备PN结，刻蚀去除硅片四周的PN结。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在电池片背面进行PECVD镀氮化硅减反射膜的操作条件为：控制氨气NH₃和硅烷气体SiH₄的流量比为1∶2-2∶1，沉积温度400-500℃，时间为10±1分钟，压力为0.5±0.1Torr，在电池片的背面沉积一层厚度为70-80nm的氮化硅膜。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述银浆栅包括线宽1.6-1.8mm的银浆主栅2-3根和线宽70-90um的银浆辅栅60-70根。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述烧结在温度为200-900℃的烧结炉内进行。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，去掉背面PECVD膜层表面的正电荷是用酒精擦拭完成的。