[发明专利]电光装置、投射型显示装置及电子设备有效
申请号: | 201210090900.0 | 申请日: | 2012-03-30 |
公开(公告)号: | CN102738147B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 伊藤智;立野善丈 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/786;G02F1/1343;G03B21/14 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人: | 周春燕,陈海红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供即使扩展存储电容的形成区域,也难以产生显示光的出射光量的降低和/或像素电极的端部附近的电位分布的紊乱的电光装置、投射型显示装置及电子设备。在液晶装置100中,在各像素,第1电极层7相对于透光的电介质层40设置于基板主体10w所位于的一侧,透光性的第2电极层8a相对于电介质层40设置于像素电极9a所位于的一侧。因此,通过透光性的第1电极层7、透光性的电介质层40及透光性的第2电极层8a构成存储电容55。此外,在存储电容55与像素电极9a之间设置有透光性的层间绝缘膜44。因此,能够将像素电极9a形成于通过研磨平坦化了的平坦面上,并且在被施加共用电位的第1电极层7与像素电极9a的端部之间不会产生多余的电场。 | ||
搜索关键词: | 电光 装置 投射 显示装置 电子设备 | ||
【主权项】:
一种电光装置,其特征在于,具备:基板;像素电极;以及存储电容,其配置于前述像素电极与前述基板之间,前述存储电容包括第1电极、被施加前述像素电极的电位的第2电极以及配置于前述第1电极与前述第2电极之间的电介质层,与前述存储电容相接地设置有层间绝缘膜,与前述层间绝缘膜相接地在与前述存储电容相反的一侧设置前述像素电极,前述像素电极、前述第1电极、前述第2电极以及前述电介质层使光透射,在从前述像素电极侧看前述基板侧时,前述第1电极不与前述第2电极和前述像素电极重叠的部分处的前述层间绝缘膜的厚度比前述第1电极与前述第2电极和前述像素电极重叠的部分处的前述层间绝缘膜的厚度厚。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的