[发明专利]电光装置、投射型显示装置及电子设备有效
申请号: | 201210090900.0 | 申请日: | 2012-03-30 |
公开(公告)号: | CN102738147B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 伊藤智;立野善丈 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/786;G02F1/1343;G03B21/14 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人: | 周春燕,陈海红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电光 装置 投射 显示装置 电子设备 | ||
技术领域
本发明涉及在元件基板设置有存储电容的电光装置、具备该电光装置的投射型显示装置及电子设备。
背景技术
在液晶装置和/或有机场致发光装置等有源矩阵型的电光装置中,具备像素晶体管及透光性的像素电极的像素配置为矩阵状,利用通过经由扫描线供给的扫描信号使像素晶体管导通的期间对像素晶体管供给图像信号。此外,在电光装置中,通过在各像素设置存储电容,来实现显示图像的高对比化等。此时,构成存储电容的电极,由于包含金属膜等遮光性材料,所以为了不妨碍来自像素的显示光的出射,设置于与由相邻的像素电极夹着的像素间区域俯视重叠的区域(参照专利文献1)。
但是,在电光装置中,在以形成更加高清晰的图像等为目的实现了像素间距的缩小和/或像素大小的小型化的情况下,直接用专利文献1所记载的结构,存在着不能确保对于存储电容的形成而言所充足的面积、不能构成具有充足的电容值的存储电容这样的问题。特别是,在液晶装置之中的透射型的液晶装置和/或从基板主体侧出射显示光的底部发射类型的有机场致发光装置中,由于存在必须在不妨碍显示光的出射的位置设置存储电容的限制,所以上述的问题显著。
因此,如图9示意性所示,提出了在相对于透光性的像素电极9a俯视重叠的区域设置透光性的电介质层40及透光性的电极7w且对电极7w和对置基板20侧的共用电极21施加共用电位的液晶装置(参照专利文献2)。在这样的结构的液晶装置中,由于通过透光性的像素电极9a、透光性的电介质层40和透光性的电极7w构成存储电容55w,所以具有即时扩展存储电容55w的形成区域,也不妨碍显示光的出射的优点。
【专利文献1】特开2010-96966号公报
【专利文献2】特开2010-176119号公报
在专利文献2所记载的结构中,存在着在像素电极9a的端部附近不能适宜地控制液晶层50的取向、图像的清晰度降低的问题。更具体地,在液晶装置中,通过在元件基板10侧的像素电极9a与对置基板20侧被施加共用电位的共用电极21之间产生的纵方向的电场(由箭头V1表示的电场)控制液晶分子的取向。但是,在专利文献2所记载的结构中,在与由相邻的像素电极9a夹着的像素间区域10f重叠的区域,在被施加共用电位的电极7w的上层仅存在电介质层40。因此,在像素电极9a与电极7w之间产生通过液晶层50的多余的电场(由箭头V2表示的电场)。因此,在液晶层50,在像素电极9a的端部附近会产生电位分布的紊乱,液晶分子的取向变得紊乱。
发明内容
鉴于以上的问题,本发明的课题在于提供即使扩展存储电容的形成区域,也难以产生显示光的出射光量的降低和/或像素电极的端部附近的电位分布的紊乱的电光装置、具备该电光装置的投射型显示装置及电子设备。
为了解决上述课题,本发明所涉及的电光装置具备:基板;设置于该基板的一面侧的透光性的像素电极;以及存储电容,其设置于该像素电极与前述基板之间,层叠有与前述像素电极分别俯视重叠的透光性的第1电极层、电连接于前述像素电极的透光性的第2电极层以及介于前述第1电极层与前述第2电极层之间的透光性的电介质层。
在本发明中,由于通过透光性的第1电极层、透光性的电介质层及透光性的第2电极层构成存储电容,所以即使扩展存储电容的形成区域而实现存储电容的电容值的增大,也不会妨碍显示光的出射光量。此外,在本发明中,由于使用与像素电极不同的2个透光性电极(第1电极层及第2电极层),所以能够在存储电容与像素电极之间设置透光性的层间绝缘膜。因而,即使在相邻的像素电极之间(像素间区域)的俯视重叠的区域存在第1电极层的情况下,也由于在第1电极层与像素电极的层间至少介有层间绝缘膜,所以具有在像素电极的端部与第1电极层之间难以产生多余的电场的优点。
在本发明中,能够采用下述结构:前述第1电极层在与相互相邻的前述像素电极之间重叠的区域具有开口部;在俯视与前述开口部重叠的区域,设置有将前述像素电极与前述第2电极层相互电连接的第1中继电极。根据这样的结构,在遍及宽广的范围形成第1电极层的情况下,也可以实现对于像素电极的电连接。此外,由于利用在与相互相邻的像素电极之间重叠的区域形成的开口部,所以无需大幅缩窄可以出射显示光的区域,便可以实现对于像素电极的电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的