[发明专利]一种大电流密度的钡钨阴极及其制备方法有效
| 申请号： | 201210090817.3 | 申请日： | 2012-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN102637566A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 吴华夏;邓清东;贺兆昌;宋田英;张丽 | 申请（专利权）人： | 安徽华东光电技术研究所 |
| 主分类号： | H01J23/04 | 分类号： | H01J23/04;H01J9/02;B22F7/04 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 张小虹 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种大电流密度的钡钨阴极及其制备方法，钡钨阴极包括阴极钼筒(3)和填充在阴极钼筒(3)内的双层基底，双层基底包括上层和下层，上层是采用圆球形状的钨粉做为基底材料压制而成的球形钨粉层(1)，且钨粉的粒径是4μm；下层是采用钨粉与铼粉混合做为基底材料压制而成的钨铼合金层(2)，且钨粉和铼粉按照20％∶80％比例混合均匀。具有上述特殊结构的该种大电流密度的钡钨阴极采用双层基底，上层采用特定形状特定颗粒的钨粉做为基底材料压制而成，下层采用钨粉与铼粉混合做为基底材料压制而成，可稳定地提供100A/cm2的电流密度，满足大功率、高频率微波器件对阴极的需求，为微波器件的发展提供强有力的保障。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电流密度 阴极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种大电流密度的钡钨阴极，其特征在于：所述的钡钨阴极包括阴极钼筒(3)和填充在阴极钼筒(3)内的双层基底，所述的双层基底包括上层和下层，上层是采用圆球形状的钨粉做为基底材料压制而成的球形钨粉层(1)，下层是采用钨粉与铼粉混合做为基底材料压制而成的钨铼合金层(2)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽华东光电技术研究所，未经安徽华东光电技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210090817.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：单缸双滑片式旋转压缩机
- 下一篇：螺纹密封连接水泵壳
