[发明专利]全背电极异质结太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201210089491.2 申请日: 2012-03-27
公开(公告)号: CN103137767A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 吴德清;萧睿中;陈建勋;林景熙;丁密特·萨哈雷夫·丁密措夫 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: H01L31/075 分类号: H01L31/075;H01L31/0376
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 祁建国;梁挥
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种全背电极异质结太阳能电池,包括一第一导电型硅基板、一第一非晶半导体层、一第二非晶半导体层、一第一导电型半导体层、一第二导电型半导体层以及一第二导电型掺杂区。第一非晶半导体层位在硅基板的受光面上,其为本质半导体层或第一导电型层。第二非晶半导体层位在硅基板的非受光面上,其中第二非晶半导体层为本质半导体层。第一与第二导电型半导体层分别位在第二非晶半导体层上。至于第二导电型掺杂区则位在第二导电型半导体层下方的硅基板内并与第二非晶半导体层接触。
搜索关键词: 电极 异质结 太阳能电池
【主权项】:
一种全背电极异质结太阳能电池,其特征在于,包括:一第一导电型硅基板,具有一受光面与一非受光面;一第一非晶半导体层,位在该第一导电型硅基板的该受光面上,其中该第一非晶半导体层为本质半导体层或第一导电型层;一第二非晶半导体层,位在该第一导电型硅基板的该非受光面上,其中该第二非晶半导体层为本质半导体层;一第一导电型半导体层,位在该第二非晶半导体层上;一第二导电型半导体层,位在该第二非晶半导体层上;以及一第二导电型掺杂区,位在该第二导电型半导体层下方的该第一导电型硅基板内并与该第二非晶半导体层接触。
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