[发明专利]全背电极异质结太阳能电池

权利要求书

1.一种全背电极异质结太阳能电池，其特征在于，包括：

一第一导电型硅基板，具有一受光面与一非受光面；

一第一非晶半导体层，位在该第一导电型硅基板的该受光面上，其中该第一非晶半导体层为本质半导体层或第一导电型层；

一第二非晶半导体层，位在该第一导电型硅基板的该非受光面上，其中该第二非晶半导体层为本质半导体层；

一第一导电型半导体层，位在该第二非晶半导体层上；

一第二导电型半导体层，位在该第二非晶半导体层上；以及

一第二导电型掺杂区，位在该第二导电型半导体层下方的该第一导电型硅基板内并与该第二非晶半导体层接触。

2.如权利要求1所述的全背电极异质结太阳能电池，其特征在于，该第二导电型掺杂区为p型掺杂区。

3.如权利要求1所述的全背电极异质结太阳能电池，其特征在于，该第二导电型掺杂区的掺杂浓度在1e18cm^-3～1e21cm^-3之间。

4.如权利要求1所述的全背电极异质结太阳能电池，其特征在于，该第二导电型掺杂区的结深度在0.001μm～10μm之间。

5.如权利要求1所述的全背电极异质结太阳能电池，其特征在于，该第一导电型半导体层与该第二导电型半导体层互相隔离。

6.如权利要求1所述的全背电极异质结太阳能电池，其特征在于，该第一导电型半导体层与该第二导电型半导体层部分重叠。

7.如权利要求1所述的全背电极异质结太阳能电池，其特征在于，该第一导电型半导体层的材料包括非晶硅、非晶碳化硅、非晶硅锗、微晶硅、微晶碳化硅或微晶硅锗。

8.如权利要求1所述的全背电极异质结太阳能电池，其特征在于，该第二导电型半导体层的材料包括非晶硅、非晶碳化硅、非晶硅锗、微晶硅、微晶碳化硅或微晶硅锗。

9.如权利要求1所述的全背电极异质结太阳能电池，其特征在于，该第一非晶半导体层的材料包括非晶硅、非晶碳化硅或非晶硅锗。

10.如权利要求1所述的全背电极异质结太阳能电池，其特征在于，该第二非晶半导体层的材料包括非晶硅、非晶碳化硅或非晶硅锗。

11.如权利要求1所述的全背电极异质结太阳能电池，还包括一抗反射层，位在该第一非晶半导体层上。

12.如权利要求1所述的全背电极异质结太阳能电池，还包括：

一第一电极，与该第一导电型半导体层接触；以及

一第二电极，与该第二导电型半导体层接触。

13.如权利要求12所述的全背电极异质结太阳能电池，其特征在于，该第一电极完全覆盖或部分覆盖该第一导电型半导体层。

14.如权利要求12所述的全背电极异质结太阳能电池，其特征在于，该第二电极完全覆盖或部分覆盖该第二导电型半导体层。

15.如权利要求12所述的全背电极异质结太阳能电池，其特征在于，该第一电极至少包括一透明导电氧化物(TCO)层与一金属层。

16.如权利要求12所述的全背电极异质结太阳能电池，其特征在于，该第二电极至少包括一透明导电氧化物层与一金属层。

17.如权利要求1所述的全背电极异质结太阳能电池，还包括一绝缘层，位在该第一导电型半导体层与该第二导电型半导体层之间的该第二非晶半导体层上。

18.如权利要求1所述的全背电极异质结太阳能电池，其特征在于，该绝缘层的材料包括高分子材料、二氧化硅或氮化硅。