[发明专利]等离子体氮化处理方法

摘要

本发明的等离子体氮化处理方法能够提高利用低温ALD法形成的氮化硅膜的耐蚀性。该等离子体氮化处理方法使用等离子体处理装置(100)，该等离子体处理装置(100)具备：在上部具有开口的处理容器(1)、载置晶片(W)的载置台(2)、堵塞处理容器(1)的开口且使微波透过的微波透过板(28)、具有多个用于将微导波入处理容器(1)内的隙缝的平面天线(31)。在处理容器(1)内，生成含有含氮气体和稀有气体的处理气体的等离子体，对晶片(W)上的氮化硅膜进行等离子体氮化处理。氮化硅膜是利用ALD法在400℃以下的成膜温度下进行成膜的氮化硅膜，等离子体氮化处理在以ALD法中的成膜温度为上限的处理温度下进行。

主权项

一种等离子体氮化处理方法，其特征在于，是使用等离子体处理装置对氮化硅膜进行等离子体氮化处理的等离子体氮化处理方法，其中，所述等离子体处理装置具备：在上部具有开口的处理容器，在所述处理容器内载置具有所述氮化硅膜的被处理体的载置台，加热所述被处理体的加热机构，与所述载置台相对地设置的、堵塞所述处理容器的开口且使微波透过的微波透过板，设置于比所述微波透过板外侧的、具有多个用于将微导波入所述处理容器内的隙缝的平面天线，将处理气体导入所述处理容器内的气体导入部，对所述处理容器内进行减压排气的排气装置；所述等离子体氮化处理方法具备以下工序：将所述被处理体送入所述处理容器内，载置于所述载置台的工序，利用所述加热机构对所述被处理体进行加热的工序，从所述气体导入部向所述处理容器内供给含有含氮气体和稀有气体的处理气体，且使所述微波从所述平面天线透过所述微波透过板而导入所述处理容器内，在该处理容器内生成电场，激发所述含有含氮气体和稀有气体的处理气体而生成等离子体的工序，利用生成的所述处理气体的等离子体，将所述被处理体上的所述氮化硅膜进行等离子体氮化处理而进行重整的工序；其中，所述氮化硅膜是利用ALD法在200℃～400℃的成膜温度下成膜的氮化硅膜，并且在以所述ALD法中的所述成膜温度为上限的处理温度下，对所述氮化硅膜进行等离子体氮化处理，从而形成利用低温含氮等离子体而重整了的氮化硅膜。