[发明专利]等离子体氮化处理方法

权利要求书

1.一种等离子体氮化处理方法，其特征在于，是使用等离子体处理装置对氮化硅膜进行等离子体氮化处理的等离子体氮化处理方法，其中，所述等离子体处理装置具备：

在上部具有开口的处理容器，

在所述处理容器内载置具有所述氮化硅膜的被处理体的载置台，

加热所述被处理体的加热机构，

与所述载置台相对地设置的、堵塞所述处理容器的开口且使微波透过的微波透过板，

设置于比所述微波透过板外侧的、具有多个用于将微导波入所述处理容器内的隙缝的平面天线，

将处理气体导入所述处理容器内的气体导入部，

对所述处理容器内进行减压排气的排气装置；

所述等离子体氮化处理方法具备以下工序：

将所述被处理体送入所述处理容器内，载置于所述载置台的工序，

利用所述加热机构对所述被处理体进行加热的工序，

从所述气体导入部向所述处理容器内供给含有含氮气体和稀有气体的处理气体，且使所述微波从所述平面天线透过所述微波透过板而导入所述处理容器内，在该处理容器内生成电场，激发所述含有含氮气体和稀有气体的处理气体而生成等离子体的工序，

利用生成的所述处理气体的等离子体，将所述被处理体上的所述氮化硅膜进行等离子体氮化处理而进行重整的工序；其中，

所述氮化硅膜是利用ALD法在200℃～400℃的成膜温度下成膜的氮化硅膜，并且在以所述ALD法中的所述成膜温度为上限的处理温度下，对所述氮化硅膜进行等离子体氮化处理，从而形成利用低温含氮等离子体而重整了的氮化硅膜。

2.根据权利要求1所述的等离子体氮化处理方法，其中，所述等离子体氮化处理工序的处理压力为1.3Pa～67Pa的范围内，含氮气体相对于全部处理气体的体积流量比为5％～30％的范围内。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体氮化处理方法，其中，所述微波的功率密度是在所述微波透过板的面积中为0.5W/cm²～2.5W/cm²的范围内。