[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，在所述基底上依次形成第一低k介质层、刻蚀停止层、第二低k介质层；第二低k介质层中形成凹槽，所述凹槽暴露刻蚀停止层表面；在凹槽内填充满无定形碳材料层，在无定形碳材料层和第一低k介质层中形成相邻的第一大马士革互连结构和第二大马士革互连结构，去除第一大马士革互连结构与第二大马士革互连结构之间以及第一大马士革互连结构和第二大马士革互连结构与凹槽侧壁之间的无定形碳材料层，形成空隙；形成横跨所述空隙的覆盖层，在第一大马士革互连结构和第二大马士革互连结构与凹槽侧壁之间的形成空气隙。本发明实施例的方法降低了互连结构之间的介电常数。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域，在所述基底上依次形成第一低k介质层、刻蚀停止层、第二低k介质层；在第一区域的第二低k介质层中形成凹槽，所述凹槽暴露刻蚀停止层表面；在凹槽内填充满无定形碳材料层；在第一区域形成第一通孔和第二通孔，所述第一通孔和第二通孔贯穿所述无定形碳材料层、刻蚀停止层和第二低k介质层，在第二区域形成第三通孔，所述第三通孔贯穿所述第一低k介质层、刻蚀停止层和第二低k介质层；在第一通孔、第二通孔和第三通孔填充满牺牲材料层；刻蚀第二区域的部分第二低k介质层和第三通孔中的部分牺牲材料层，形成第三沟槽，所述第三沟槽与第三通孔的位置相对应，所述第三沟槽暴露刻蚀停止层表面；刻蚀第一区域的部分无定形碳材料层，形成第一沟槽和第二沟槽，同时去除第一通孔、第二通孔和第三通孔中的牺牲材料层，第一沟槽和第二沟槽分别与第一通孔和第二通孔相对应，第一沟槽和第二沟槽暴露刻蚀停止层表面；在第一通孔、第二通孔、第三通孔、第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽中填充满金属，形成第一大马士革互连结构、第二大马士革互连结构和第三大马士革互连结构；去除第一大马士革互连结构与第二大马士革互连结构之间以及第一大马士革互连结构和第二大马士革互连结构与凹槽侧壁之间的无定形碳材料层，形成空隙；形成横跨所述空隙的覆盖层，在第一大马士革互连结构和第二大马士革互连结构与凹槽侧壁之间的形成空气隙。