[发明专利]半导体发光元件及其制作方法无效
| 申请号： | 201210087938.2 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103367582A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 杜升翰;许国君;蔡胜杰;廖冠咏;李允立 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光元件及其制作方法，其中半导体发光元件包括基板、第一态掺杂半导体层、发光层、第二态掺杂半导体层以及光学微结构层。第一态掺杂半导体层配置在基板上，包括基底部与平台部，该基底部具有上表面，且平台部配置在基底部的上表面上。发光层配置在第一态掺杂半导体层上。第二态掺杂半导体层配置在发光层上。光学微结构层嵌埋在第一态掺杂半导体层中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，其特征在于，包括：基板；第一态掺杂半导体层，配置在该基板上，包括基底部与平台部，该基底部具有上表面，且该平台部配置在该基底部的上表面上；发光层，配置在该第一态掺杂半导体层上；第二态掺杂半导体层，配置在该发光层上；以及光学微结构层，嵌埋在该第一态掺杂半导体层中。
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