[发明专利]半导体发光元件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其特征在于，包括：

基板；

第一态掺杂半导体层，配置在该基板上，包括基底部与平台部，该基底部具有上表面，且该平台部配置在该基底部的上表面上；

发光层，配置在该第一态掺杂半导体层上；

第二态掺杂半导体层，配置在该发光层上；以及

光学微结构层，嵌埋在该第一态掺杂半导体层中。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中该平台部具有顶面与侧壁面。

3.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其中该侧壁面，连接该顶面与该基底部的该上表面。

4.根据权利要求3所述的半导体发光元件，其中该侧壁面相对于该基底部的该上表面的倾斜角度大于0度且小于90度。

5.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中该平台部的剖面为梯形形状。

6.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中该发光层配置在该平台部上。

7.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中该光学微结构层嵌埋在该平台部以及该基底部之间。

8.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中该光学微结构层包括多个不连续的光学微结构。

9.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中该光学微结构层包括连续式的光学微结构。

10.根据权利要求8所述的半导体发光元件，其中该多个光学微结构呈条状、点状、岛状、柱状、锥状或其组合。

11.根据权利要求8所述的半导体发光元件，其中至少部分该多个光学微结构的面数量密度随着位置的不同而变化。

12.根据权利要求8所述的半导体发光元件，其中该多个光学微结构实质上呈均匀分布。

13.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中该光学微结构层为分布式布拉格反射层。

14.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中该光学微结构层中包含荧光体。

15.一种半导体发光元件的制作方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在该基板上成长第一态掺杂半导体材料，以形成第一态掺杂半导体的基底部；

在该第一态掺杂半导体的基底部上形成图案化成长阻绝层，该图案化成长阻绝层暴露出该第一态掺杂半导体材料层的第一部分，且覆盖该第一态掺杂半导体材料层的第二部分；

在该第一部分上继续成长该第一态掺杂半导体材料，以形成第一态掺杂半导体的平台部；

在该第一态掺杂半导体平台部上形成发光层；以及

在该发光层上形成第二态掺杂半导体层。

16.根据权利要求15所述的半导体发光元件的制作方法，还包括：

在形成该图案化成长阻绝层之后且在该第一部分上继续成长该第一态掺杂半导体材料之前，在该第一部分上形成光学微结构层。

17.根据权利要求16所述的半导体发光元件的制作方法，其中在该第一部分上继续成长该第一态掺杂半导体材料的步骤包括使该第一态掺杂半导体材料覆盖该光学微结构层。

18.根据权利要求15所述的半导体发光元件的制作方法，还包括：

在该发光层上形成该第二态掺杂半导体层之后，移除该图案化成长阻绝层；以及

分别在该第二部分及该第二态掺杂半导体层上形成第一电极及第二电极。