[发明专利]标记晶圆的方法、具有标记的晶圆无效
| 申请号： | 201210085163.5 | 申请日： | 2012-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN102610494A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 李乐 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/544;B23K26/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种标记晶圆的方法、具有标记的晶圆，标记晶圆的方法包括：提供绝缘体上硅，绝缘体上硅包括第一半导体层、位于第一半导体层上的介质层、位于介质层上的第二半导体层；图形化第二半导体层和介质层，利用光刻和蚀刻在第二半导体层和介质层形成开口，开口定义出需要形成激光标签的区域且开口暴露出部分第一半导体层；利用激光轰击开口区域，在开口暴露出的第一半导体层的表面区域形成标记。本技术方案形成的标记清楚，方便识别，减少缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 标记 方法 具有 | ||
【主权项】：
一种标记晶圆的方法，其特征在于，包括：提供绝缘体上硅，所述绝缘体上硅包括第一半导体层、位于所述第一半导体层上的介质层、位于所述介质层上的第二半导体层；图形化所述第二半导体层和介质层，在所述第二半导体层和介质层形成开口，所述开口定义出需要形成标记的区域且所述开口暴露出部分所述第一半导体层；利用激光轰击所述开口，在所述开口暴露出的第一半导体层的表面区域形成标记。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
