[发明专利]标记晶圆的方法、具有标记的晶圆

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及标记晶圆的方法、具有标记的晶圆。

背景技术

半导体工艺中，一次工艺需要进行操作的晶圆不止一片，而是多片晶圆，也就是说，半导体工艺中每一道工艺对晶圆的处理为批量处理。同一道工艺中的多个晶圆彼此相同，无法对它们进行区分。在实践中可以通过晶圆的摆放位置区分晶圆，但是当晶圆的摆放位置由于某种原因发生变化时，会导致不同晶圆的识别出现混乱。

在半导体工艺中，为了区分各个晶圆(wafer)，现有技术中通常的做法为：利用激光轰击晶圆，在晶圆表面上形成标记，使工程师可以区分各个晶圆。

当半导体工艺中使用的晶圆为体硅时，利用激光在体硅(bulk wafer)表面形成的标记清楚，方便识别。随着，半导体工艺的发展，绝缘体上硅(silicon-on-insulator，简称SOI)开始广泛应用于集成电路中，利用激光轰击绝缘体上硅的表面形成的标记比较模糊，不方便识别。而且，在绝缘体上硅上形成的器件性能变差。

现有技术中，有许多关于标记晶圆的方法，例如，2008年6月11日公开的CN101197350A的中国专利申请文件，然而均没有解决以上技术问题。

发明内容

本发明解决的问题是在绝缘体上硅上形成的标记模糊，在绝缘体上硅上形成的器件性能变差。

为解决上述问题，本发明提供一种标记晶圆的方法，包括：

提供绝缘体上硅，所述绝缘体上硅包括第一半导体层、位于所述第一半导体层上的介质层、位于所述介质层上的第二半导体层；

图形化所述第二半导体层和介质层，在所述第二半导体层和介质层形成开口，所述开口定义出需要形成标记的区域且所述开口暴露出部分所述第一半导体层；

在所述开口暴露出的第一半导体层的表面区域形成标记。

可选的，图形化所述第二半导体层和介质层的方法为：光刻、刻蚀。

可选的，所述介质层的材料为氧化硅。

可选的，所述第一半导体层的材料选自单晶硅、单晶锗或者单晶锗硅、III-V族元素化合物、单晶碳化硅。

可选的，所述第二半导体层的材料选自单晶硅、单晶锗或者单晶锗硅、III-V族元素化合物、单晶碳化硅。

本发明还提供一种具有标记的晶圆，所述晶圆为绝缘体上硅，所述绝缘体上硅包括第一半导体层、位于所述第一半导体层上的介质层、位于所述介质层上的第二半导体层；

所述第二半导体层和所述介质层中具有开口，所述开口暴露出部分所述第一半导体层，所述标记位于所述开口暴露出的第一半导体层的表面区域。

可选的，所述介质层的材料为氧化硅。

可选的，所述第一半导体层的材料选自单晶硅、单晶锗或者单晶锗硅、III-V族元素化合物、单晶碳化硅。

可选的，所述第二半导体层的材料选自单晶硅、单晶锗或者单晶锗硅、III-V族元素化合物、单晶碳化硅。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

本技术方案的标记晶圆的方法，首先提供绝缘体上硅，绝缘体上硅包括第一半导体层、位于第一半导体层上的介质层、位于介质层上的第二半导体层；然后，图形化第二半导体层和介质层，在第二半导体层和介质层形成开口，该开口定义出需要形成标记的区域且暴露出部分第一半导体层；接着利用激光轰击开口，在开口暴露出的第一半导体层的表面区域形成标记。由于第一半导体层的厚度要远远大于第二半导体层的厚度，因此将标记形成在第一半导体层上，可以避免由于半导体层太薄而导致激光轰击半导体层形成的标记模糊的现象，因此形成在第一半导体层上的标记清楚，方便识别。而且，由于第一半导体层的厚度较厚，对激光轰击力的耐受力好，激光轰击第一半导体层时，可以大大减少激光轰击形成的缺陷，降低缺陷转移至器件区时影响器件的性能的可能性。

附图说明

图1为利用激光轰击体硅表面，在体硅表面上形成的标记的扫描电镜示意图；

图2为利用激光轰击绝缘体上硅表面，在绝缘体上硅表面上形成的标记的扫描电镜示意图；

图3为本发明具体实施例的标记晶圆的方法的流程示意图；

图4为本发明具体实施例的具有开口的绝缘体上硅的平面示意图；

图5～图9为本发明具体实施例的标记晶圆方法沿图4所示的a-a方向的剖面结构示意图。

具体实施方式