[发明专利]金属氧化物半导体测试结构及其形成方法

摘要

本发明公开了一种金属氧化物半导体测试结构。划片槽区域位在基材上，基材为第一导电类型，具有第一面以及与第一面相对的第二面。第一导电类型的外延层位于第一面上、第二导电类型的掺杂井位于外延层上、而第一导电类型的掺杂区域位于掺杂井上。具有第一深度的沟渠式栅极位于掺杂区域、掺杂井和在划片槽区域中。导电材料填入具有第二深度的测试通孔中，并且隔离结构覆盖测试通孔的内壁，又位于掺杂井、掺杂区域、外延层、与划片槽区域中，而电连接至外延层，使得测试通孔得以一起测试外延层和基材。

主权项

一种金属氧化物半导体测试结构，其特征在于，包含：一第一导电类型的基材，具有一第一面以及与所述第一面相对的一第二面；一划片槽区域，位于所述基材上；所述第一导电类型的一外延层，位于所述第一面上；一第二导电类型的掺杂井，位于所述外延层上；所述第一导电类型的一掺杂区域，位于所述掺杂井上；一第一深度的沟渠式栅极，位于所述掺杂井、所述掺杂区域以及所述划片槽区域中；一第二深度的测试通孔，位于所述掺杂区域、所述掺杂井、所述外延层以及所述划片槽区域中；一隔离结构，覆盖所述测试通孔的一内壁；以及一导电材料，填入所述测试通孔中并电连接所述外延层，使得所述测试通孔得以一起测试所述外延层和所述基材。