[发明专利]一种超低功耗有机阻变存储器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201210082206.4 | 申请日： | 2012-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN102610755A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 黄如;白文亮;蔡一茂;唐昱;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种超低功耗有机阻变存储器件及其制备方法，属于属于有机电子学和CMOS混合集成电路技术领域。该器件制备在衬底上，器件单元为MIM电容结构，该MIM结构的底层为金属或非金属导电薄膜等惰性电极，顶层为金属Al等活性电极，中间功能层为多次淀积生长的聚对二甲苯聚合物膜。本发明由于采用了多次淀积生长的聚对二甲苯聚合物膜作为功能层，存储器的编程电流小于0.5uA，存储器的擦除电流降至10nA左右或更低，实现有机阻变存储器的超低功耗操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 有机 存储 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超低功耗有机阻变存储器件，制备在衬底上，其特征在于，器件单元为MIM电容结构，该MIM结构的底层为金属或非金属导电惰性电极，顶层为金属活性电极，中间功能层为二次或二次以上淀积生长的聚对二甲苯聚合物膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210082206.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
