[发明专利]一种超低功耗有机阻变存储器件及其制备方法

权利要求书

1.一种超低功耗有机阻变存储器件，制备在衬底上，其特征在于，器件单元为MIM电容结构，该MIM结构的底层为金属或非金属导电惰性电极，顶层为金属活性电极，中间功能层为二次或二次以上淀积生长的聚对二甲苯聚合物膜。

2.如权利要求1所述的超低功耗有机阻变存储器件，其特征在于，所述顶层电极为金属Al、Cu或Ag，厚度范围在100nm和400nm之间。

3.如权利要求1所述的超低功耗有机阻变存储器件，其特征在于，所述聚对二甲苯聚合物膜为聚对二甲苯C型、聚对二甲苯N型或聚对二甲苯D型，厚度范围在30和60nm之间。

4.如权利要求1所述的超低功耗有机阻变存储器件，其特征在于，所述底层电极为金属Pt、W、氧化锡铟或聚乙撑二氧噻吩，厚度范围在100nm和400nm之间。

5.如权利要求1所述的超低功耗有机阻变存储器件，其特征在于，衬底为硅基片或柔性材料衬底。

6.一种超低功耗有机阻变存储器件的制备方法，其步骤包括：

1)在硅基片上溅射惰性金属或其他非金属材料，光刻，定义底层电极；

2)在底层电极上利用聚合物化学气相沉积CVD二次或二次以上淀积聚对二甲苯聚合物，作为中间功能层；

3)在上述有机功能层上溅射活性金属材料，光刻、剥离定义顶层电极。