[发明专利]水热法结合脉冲电沉积制备宽禁带ZnS薄膜材料的方法

摘要

本发明公开了一种水热法结合脉冲电沉积制备宽禁带ZnS纳米薄膜材料的方法。依次包括如下步骤：(1)ITO导电玻璃的准备和预处理；(2)脉冲电沉积在导电玻璃上制备ZnS纳米晶种；(3)水热法在沉积有ZnS纳米晶种导电玻璃上制备ZnS纳米薄膜材料。本方法制备的ZnS纳米薄膜表面平整致密，与基体粘合力强。ZnS纳米薄膜材料荧光发射光谱表明，样品在469nm处有明显的发射峰，发蓝光；从紫外透过率可以推算出此ZnS的禁带宽度在5.5ev左右。

主权项

一种水热法结合脉冲电沉积制备宽禁带ZnS薄膜材料的方法，包括ITO的预处理，其特征在于具体步骤为：(1)电解溶液组成为：每100mL溶液含0.001mol氯化锌、0.002mol五水合硫代硫酸钠、0.001～0.002mol二水合柠檬酸三钠及20～40mL二甲基亚砜，用质量百分比浓度为98％的浓硫酸调pH至2.5～4；采用两电极体系，铂电极作为阳极，ITO导电玻璃为阴极，保持恒电压2.0V，水浴温度52℃，脉冲电沉积30分钟～60分钟，得到ZnS纳米晶种；(2)水热液组成为：每100mL溶液含0.001～0.003mol六水合硝酸锌、0.003～0.009mol硫脲及0.001～0.0025mol 5‑磺基水杨酸，用移液管量取15mL上述水热液置于高压釜中，将沉积有步骤(1)ZnS纳米晶种导电玻璃衬底垂直置于釜中，从室温开始缓慢升温至200℃，反应12小时，待反应完成后取出自然冷却，洗净烘干，得到宽禁带ZnS薄膜材料。