[发明专利]水热法结合脉冲电沉积制备宽禁带ZnS薄膜材料的方法无效
申请号: | 201210081005.2 | 申请日: | 2012-03-22 |
公开(公告)号: | CN102618917A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 周英智;刘峥;刘洁 | 申请(专利权)人: | 桂林理工大学 |
主分类号: | C30B7/10 | 分类号: | C30B7/10;C30B29/46;C23C18/12;C25D9/08;C25D5/18 |
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地址: | 541004 广西壮族*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 水热法 结合 脉冲 沉积 制备 宽禁带 zns 薄膜 材料 方法 | ||
1.一种水热法结合脉冲电沉积制备宽禁带ZnS薄膜材料的方法,包括ITO的预处理,其特征在于具体步骤为:
(1)电解溶液组成为:每100mL溶液含0.001mol氯化锌、0.002mol五水合硫代硫酸钠、0.001~0.002mol二水合柠檬酸三钠及20~40mL二甲基亚砜,用质量百分比浓度为98%的浓硫酸调pH至2.5~4;采用两电极体系,铂电极作为阳极,ITO导电玻璃为阴极,保持恒电压2.0V,水浴温度52℃,脉冲电沉积30分钟~60分钟,得到ZnS纳米晶种;
(2)水热液组成为:每100mL溶液含0.001~0.003mol六水合硝酸锌、0.003~0.009mol硫脲及0.001~0.0025mol 5-磺基水杨酸,用移液管量取15mL上述水热液置于高压釜中,将沉积有步骤(1)ZnS纳米晶种导电玻璃衬底垂直置于釜中,从室温开始缓慢升温至200℃,反应12小时,待反应完成后取出自然冷却,洗净烘干,得到宽禁带ZnS薄膜材料。
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