[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法

摘要

本发明提供一种技术，通过该技术，在对基板进行等离子体处理的装置中，当不使用仿真基板地利用等离子体来进行清洁时，能够抑制载置台表面的损伤。在等离子体蚀刻处理后，在使基座(3)的表面露出的状态下，利用等离子体(P)来对等离子体蚀刻装置的真空容器(1)的内部进行清洁，并除去附着于真空容器(1)的内部的反应生成物(A)。此时，对等离子体(P)施加直流电压。由此，能够得到高密度的等离子体(P)并且降低该等离子体(P)的离子能量，因此能够进行良好的清洁并且抑制基座(3)表面的损伤。

主权项

一种等离子体处理装置，其为平行平板型的等离子体处理装置，在设置于真空容器内的兼作第一电极的载置台上载置基板，在该第一电极与第二电极之间施加高频电力使处理气体等离子体化，利用所得到的等离子体对所述基板进行等离子体处理，所述等离子体处理装置的特征在于，包括：在暴露于所述等离子体中的区域设置的直流电压施加用电极；向所述直流电压施加用电极施加直流电压的直流电压电源部；清洁气体供给部，其供给用于对所述真空容器内进行清洁的清洁气体；和控制部，其输出控制信号以实施以下步骤：在所述载置台上不存在基板的状态下，向处理容器内供给清洁气体的步骤；在所述第一电极与第二电极之间施加高频电力使清洁气体等离子体化的步骤；和在使清洁气体等离子体化的期间对所述直流电压施加用电极施加直流电压的步骤。