[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法有效

专利信息
申请号: 201210080267.7 申请日: 2012-03-23
公开(公告)号: CN102693892A 公开(公告)日: 2012-09-26
发明(设计)人: 村上贵宏 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01J37/04 分类号: H01J37/04;H01J37/305;H01L21/3065;B08B7/00
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 等离子体 处理 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种等离子体处理装置,其为平行平板型的等离子体处理装置,在设置于真空容器内的兼作第一电极的载置台上载置基板,在该第一电极与第二电极之间施加高频电力使处理气体等离子体化,利用所得到的等离子体对所述基板进行等离子体处理,所述等离子体处理装置的特征在于,包括:

在暴露于所述等离子体中的区域设置的直流电压施加用电极;

向所述直流电压施加用电极施加直流电压的直流电压电源部;

清洁气体供给部,其供给用于对所述真空容器内进行清洁的清洁气体;和

控制部,其输出控制信号以实施以下步骤:在所述载置台上不存在基板的状态下,向处理容器内供给清洁气体的步骤;在所述第一电极与第二电极之间施加高频电力使清洁气体等离子体化的步骤;和在使清洁气体等离子体化的期间对所述直流电压施加用电极施加直流电压的步骤。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:

所述等离子体处理是使用CF类气体对基板进行蚀刻的处理,

所述清洁气体是氧气。

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置,其特征在于:

对所述直流电压施加用电极施加的直流电压为-200V~-320V。

4.一种等离子体处理方法,其特征在于,包括:

在设置于真空容器内的兼作第一电极的载置台上载置基板,在该第一电极与和该第一电极相对的第二电极之间施加高频电力使处理气体等离子体化,利用所得到的等离子体对基板进行等离子体处理的工序;

在所述载置台上不存在基板的状态下,向处理容器内供给清洁气体,在所述第一电极与所述第二电极之间施加高频电力,使清洁气体等离子体化的工序;

在进行所述使清洁气体等离子体化的工序时,对在暴露于所述等离子体中的区域设置的直流电压施加用电极施加直流电压的工序。

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