[发明专利]氮化物半导体发光元件的制造方法有效
| 申请号： | 201210077451.6 | 申请日： | 2012-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102694084A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 永森基;园田孝德 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制造高性能氮化物半导体发光元件的方法，其方法具有：在基板上形成n型氮化物半导体层的工序、在n型氮化物半导体层上形成发光层的工序、在发光层上形成p型氮化物半导体层的工序、在包含氧的环境中把p型氮化物半导体层以第一温度进行热处理的工序、在真空环境中把以第一温度热处理过的p型氮化物半导体层以比第一温度低的第二温度进行热处理的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光元件的制造方法，其中，具有：在基板上形成n型氮化物半导体层的工序、在所述n型氮化物半导体层上形成发光层的工序、在所述发光层上形成p型氮化物半导体层的工序、在包含氧的环境中把所述p型氮化物半导体层以第一温度进行热处理的工序、在真空环境中把以所述第一温度热处理过的所述p型氮化物半导体层以比第一温度低的第二温度进行热处理的工序。
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